TMR素子(Tunneling Magnetoresistive)を使用したメモリ。 TMR素子はわずか数原子分という極めて薄い絶縁物の層を磁性体ではさんだもので 磁性体の層の変化の方向によって電気抵抗が変化する。DRAMに代わる大容量な不揮発性 メモリとして世界的に開発が行われている。